YYDS!北京大学，一天3篇Nature
发表于：2023-03-23 21:01浏览：146次TAG：
3月22日，北京大学电子学院彭练矛教授、邱晨光研究员作为论文的共同通讯作者在全球顶级学术期刊《Nature》发表了题为“Ballistic two-dimensional InSe transistors”的研究论文。电子学院博士生姜建峰与徐琳博士为共同第一作者。北京大学为论文的唯一的完成单位。彭练矛教授、邱晨光研究员课题组制备了10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5 V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。这项工作突破了长期以来阻碍二维电子学发展的关键科学瓶颈，将n型二维半导体晶体管的性能首次推近理论极限，率先在实验上证明出二维器件性能和功耗上优于先进硅基技术，为推动二维半导体技术的发展注入强有力的信心和活力。图：弹道二维硒化铟晶体管与先进节点硅基晶体管的比较彭海琳团队研制出全球首例外延高K栅介质集成型二维鳍式晶体管3月22日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授作为论文的唯一通讯作者在全球顶级学术期刊《Nature》发表了题为“2D fin field-effect transistors integrated with epitaxial high-κ gate oxide”的研究论文。北京大学化学与分子工程学院BMS Fellow博士后谭聪伟、博士研究生于梦诗、唐浚川、高啸寅是共同第一作者。北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授开发出了一种全新二维半导体垂直鳍片/高介电自氧化物外延集成架构（2D fin/oxide Bi2O2Se/Bi2SeO5），并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管（2D FinFET）。。二维半导体鳍片/自氧化物外延异质结构具有原子级平整界面和超薄的鳍片厚度（可达一个单胞厚度，~1.2 nm），并实现了晶圆级单一定向阵列制备以及定点、高密度生长。基于Bi2O2Se/Bi2SeO5外延异质结的二维鳍式场效应晶体管具有高达270 cm2/Vs的电子迁移率、极低的关态电流（~1 pA/μm）和很高的开/关态电流比（108），沟道长度为400 nm时开态电流密度高达830 μA/μm，满足国际器件与系统路线图（IRDS）的2028年低功耗器件目标要求。该原创性工作突破了后摩尔时代高速低功耗芯片的关键新材料与新架构三维异质集成瓶颈，为开发突破硅基晶体管极限的未来芯片技术带来新机遇。高κ栅氧化物集成型二维鳍式晶体管（2D FinFET）示意图肖俊宇团队阐明免疫球蛋白IgM被特异性受体识别的分子机制3月22日，北京大学生命科学学院肖俊宇研究员作为论文的唯一通讯作者在全球顶级学术期刊《Nature》发表了题为“ Immunoglobulin M Perception by FcμR ”的研究论文。北京大学已出站博士后李雅鑫、生命科学学院19级博士生沈皓、前沿交叉学科研究院19级博士生张瑞雪为该论文的共同第一作者。北京大学为论文的唯一的完成单位。这是继2020年肖俊宇研究组在Science杂志发表论文阐明IgM五聚体组装和黏膜转运的分子机制之后的又一重大突破。IgM是人体内五类免疫球蛋白之一，在免疫应答早期阶段发挥重要功能。IgM在人体中以多种形式存在，包括B细胞受体 (BCR) 复合体中的膜结合型 IgM单体，分泌到血清中的IgM五聚体和六聚体以及处于黏膜表面、包含分泌组分（secretory component）的分泌型 IgM。在之前工作中，肖俊宇研究组阐明了IgM五聚体组装和黏膜转运的分子机制，发现IgM以非对称的方式形成五聚体，并揭示了J链调节IgM五聚体组装、介导其与黏膜转运受体pIgR相互作用的结构基础。肖俊宇课题组通过结构生物学、生物化学和细胞生物学等手段揭示了FcμR特异性感知不同形式IgM的分子机制，为深入理解IgM的生物学功能奠定了基础。本文来源：Top大学来了，仅用于学术分享，转载请注明出处。若有侵权，请联系【科奖平台】删除或修改！
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